FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G160P03KI Goford Semiconductor
P-30V,-30A,RD(MAX)<16M...
1 40 加入询价
G20P08K Goford Semiconductor
P-80V,RD(MAX)<62M@-10V...
1 681 加入询价
R6004JND3TL1 ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A...
1 2,000 加入询价
PJD40N06A_L2_00001 PANJIT
60V N-CHANNEL ENHA...
1 2,000 加入询价
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