漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
R6006KND3TL1 ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6A...
1 1,167 加入询价
GT650N15K Goford Semiconductor
N150V,RD(MAX)<65M@10V...
1 2,157 加入询价
PJD10N10_L2_00001 PANJIT
100V N-CHANNEL MOS...
1 2,000 加入询价
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