漏源电压(Vdss):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G80N03K Goford Semiconductor
N30V, 80A,RD<6.5M@10V,V...
1 2,500 加入询价
RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A...
1 2,000 加入询价
YJD80G06A YANGJIE
N-CH MOSFET 60V 80A...
1 2,000 加入询价
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