供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
PMZB670UPE,315 Nexperia
MOSFET P-CH 20V 680M...
1 43,887 加入询价
CSD13380F3 Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3.6A...
1 87,199 加入询价
CSD25485F5 Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3.2A...
1 10,018 加入询价
CSD13380F3T Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3.6A...
1 34,108 加入询价
CSD25485F5T Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 5.3A...
1 2,605 加入询价
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