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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
供应商器件封装:
DFN0606-3
(1)
DFN1006B-3
(2)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
600mA(Ta)
(2)
800mA(Ta)
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
0.31 nC @ 4.5 V
(1)
0.7 nC @ 4.5 V
(2)
功率耗散(最大值):
360mW(Ta)
(1)
360mW(Ta),2.7W(Tc)
(1)
370mW(Ta),2.2W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
封装/外壳 : 3-XFDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) : 620 毫欧 @ 600mA,4.5V
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMZB600UNELYL
Nexperia
MOSFET N-CH 20V 600M...
1
386,098
加入询价
PMZB600UNEYL
Nexperia
MOSFET N-CH 20V 600M...
1
597
加入询价
PMH600UNEH
Nexperia
MOSFET N-CH 20V 800M...
1
2,000
加入询价
PMZB600UNELYL
Nexperia
-
库存 : 386,098
询价
PMZB600UNEYL
Nexperia
-
库存 : 597
询价
PMH600UNEH
Nexperia
-
库存 : 2,000
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