供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 250M...
1 1,184,615 加入询价
RV8L002SNHZGG2CR ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 250M...
1 7,650 加入询价
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