供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
NTGS3446T1G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.5A...
1 12,673 加入询价
NTGS3443T1G ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A...
1 28 加入询价
SI3443DV Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.4A...
1 2,000 加入询价
NTGS3446T1 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.5A...
1 2,000 加入询价
NTGS3443T1 ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A...
1 2,000 加入询价
NTGS3443T2G ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A...
1 2,000 加入询价
SI3443DVTRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.4A...
1 2,000 加入询价
SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 40V 7.4A...
1 2,000 加入询价
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