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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
1200 V
(1)
700 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
65A(Tc)
(1)
80A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
55 毫欧 @ 40A,20V
(1)
70 毫欧 @ 32.5A,20V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
125 nC @ 20 V
(1)
235 nC @ 20 V
(1)
功率耗散(最大值):
220W(Tc)
(1)
625W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) : -
技术 : SiCFET(碳化硅)
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
APT70SM70S
Microsemi
SICFET N-CH 700V 65A...
1
2,000
加入询价
APT80SM120S
Microsemi
SICFET N-CH 1200V 80...
1
2,000
加入询价
APT70SM70S
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APT80SM120S
Microsemi
-
库存 : 2,000
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