漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
FDB050AN06A0 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A...
1 916 加入询价
STB150N3LH6 STMicroelectronics
MOSFET N CH 30V 80A...
1 998 加入询价
STB120N4LF6 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A...
1 703 加入询价
STB27NM60ND STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A...
1 85 加入询价
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