FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
RCJ300N20TL ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A...
1 2,000 加入询价
NDB4050L ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A...
1 2,000 加入询价
NDB4060L ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A...
1 2,000 加入询价
SPB21N10 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A...
1 2,000 加入询价
MTB30P06VT4 ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A...
1 2,000 加入询价
SPB21N10T Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A...
1 2,000 加入询价
SPB21N10 G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A...
1 2,000 加入询价
MTB30P06VT4G ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A...
1 2,000 加入询价
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