- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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15 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A... |
1 | 38,441 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 15A... |
1 | 103 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 865 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V D2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 15.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
