供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3...
1 2,000 加入询价
IRF630NS Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3...
1 2,000 加入询价
IRF630NSTRR Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3...
1 2,000 加入询价
IRF630NSPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3...
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IRF630NSTRRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3...
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FQB9N08TM ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A...
1 2,000 加入询价
FQB9N08LTM ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A...
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