漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SPB04N60C3ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5...
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IPB25N06S3L-22 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A...
1 2,000 加入询价
SPB10N10 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10....
1 2,000 加入询价
SPB10N10 G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10....
1 2,000 加入询价
SPB10N10L Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10....
1 2,000 加入询价
SPB04N50C3ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5...
1 2,000 加入询价
SPB04N60S5ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5...
1 2,000 加入询价
SPB10N10L G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10....
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