- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- ON Semiconductor (3)
- YANGJIE (2)
- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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45 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V PO... |
1 | 2,621 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 36A... |
1 | 1,907 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V... |
1 | 4,940 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 4,930 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5... |
1 | 4,896 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 29.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 35A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Comchip Technology | MOSFET P-CH 100V 2.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N120V,RD(MAX)<10M@10V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 32A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
