- 品牌：
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- YANGJIE (1)
- 供应商器件封装：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | NCH 40V 95A, HSMT8, P... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | NCH 100V 40A, HSMT8, ... |
1 | 5,970 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 4,400 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 40A... |
1 | 4,132 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V,RD(MAX)<6.5M@10V... |
1 | 13,733 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 40A... |
1 | 248 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 75V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 100V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
