- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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22 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.4A... |
1 | 22,430 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
1 | 10,893 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.3A... |
1 | 3,327 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.9A... |
1 | 13,649 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A... |
1 | 4,826 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH 30V 8A ... |
1 | 3,783 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
1 | 39,502 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 11,662 | 加入询价 | |
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PANJIT | 30V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 2,939 | 加入询价 | |
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PANJIT | 30V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,874 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 2,802 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.2A... |
1 | 1,731 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 30V N-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 9A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
