- 品牌:
-
- Diodes Incorporated (49)
- ON Semiconductor (16)
- STMicroelectronics (10)
- PANJIT (18)
- YANGJIE (1)
- 供应商器件封装:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
- 已选条件:
137 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Micro Commercial Components (MCC) | Interface |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET P-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3.5A... |
1 | 1 | 加入询价 | ||
YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 9A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V, 5A,RD<45M@10V,VT... |
1 | 6,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 5.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET P-CH 20V 3A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |