- 品牌：
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- ON Semiconductor (15)
- PANJIT (5)
- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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35 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 10A... |
1 | 57,394 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 15A... |
1 | 29,470 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 6.8A... |
1 | 22,962 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A/... |
1 | 17,343 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 9A ... |
1 | 5,650 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 5A ... |
1 | 11,787 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5A ... |
1 | 11,388 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
1 | 6,029 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
1 | 5,855 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 22A... |
1 | 24,516 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 25A... |
1 | 3,533 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5A ... |
1 | 9,278 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A... |
1 | 73,838 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 5,212 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A ... |
1 | 3,227 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 2,590 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5A ... |
1 | 6,117 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 5A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<24M@10V,... |
1 | 3,000 | 加入询价 |
