供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
GT035N06T Goford Semiconductor
N-CH, 60V,170A, RD(MA...
1 152 加入询价
GT025N06AT Goford Semiconductor
N60V, 170A,RD<2.5M@10V,...
1 77 加入询价
ISL9N303AP3 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A...
1 2,000 加入询价
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