供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPP60R105CFD7XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N CH
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