单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

工作温度：

供应商器件封装：

技术：

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

已选条件：

3 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	UF3C065080T3S	UnitedSiC	MOSFET N-CH 650V 31A...	1	9,080	加入询价
	UJ3C065080T3S	UnitedSiC	MOSFET N-CH 650V 31A...	1	6,945	加入询价
	STP33N60DM6	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 25A...	1	2,000	加入询价

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