供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A...
1 488 加入询价
IXTP130N065T2 Littelfuse
MOSFET N-CH 65V 130A...
1 2,000 加入询价
STP90N55F4 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 90A...
1 2,000 加入询价
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