供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
PJP18N20_T0_00001 PANJIT
TO-220AB, MOSFET
1 1,424 加入询价
IPP60R160P6XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23....
1 469 加入询价
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