- 品牌：
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- Diodes Incorporated (11)
- UMW (6)
- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 128,897 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 1,008,712 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
1 | 71,886 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
1 | 2,979 | 加入询价 | |
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UMW | SOT-23-3 POWER MOSF... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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UMW | 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A ... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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UMW | 30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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UMW | 30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1... |
1 | 2,985 | 加入询价 | |
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UMW | 30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1... |
1 | 1,361 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<59M@-10V... |
1 | 2,955 | 加入询价 | |
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UMW | 30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 3... |
1 | 2,609 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Comchip Technology | MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 |
