- 品牌:
-
- Diodes Incorporated (455)
- Infineon Technologies (134)
- Intersil(瑞萨电子公司) (1)
- Microchip Technology (14)
- Nexperia (148)
- ON Semiconductor (261)
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- UMW (33)
- Vishay / Siliconix (218)
- YANGJIE (25)
- 工作温度:
-
- 供应商器件封装:
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
1,653 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 6.5A... |
1 | 806,191 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A... |
1 | 7,127 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.2A... |
1 | 430,255 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 181,841 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
1 | 143,490 | 加入询价 | ||
PANJIT | SOT-23, MOSFET |
1 | 70,978 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.3A... |
1 | 61,545 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.2A... |
1 | 47,195 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 300M... |
1 | 898,909 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A... |
1 | 62,395 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.1A... |
1 | 5,748 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.6A... |
1 | 221,026 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET N-CH 30V 1.9A... |
1 | 123,167 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.4A... |
1 | 262,199 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 300M... |
1 | 16,544 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.3A... |
1 | 380,254 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V 260M... |
1 | 103,087 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 400M... |
1 | 41,851 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
1 | 83,039 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190... |
1 | 5,326 | 加入询价 |