- 品牌：
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- Diodes Incorporated (251)
- ON Semiconductor (58)
- Goford Semiconductor (11)
- 工作温度：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 1,164 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 115M... |
1 | 1,416,843 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 380M... |
1 | 1,059,128 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 310M... |
1 | 177,646 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 350M... |
1 | 685,683 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130M... |
1 | 36,875 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 258,737 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 500M... |
1 | 58,095 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 500M... |
1 | 155,619 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 448,548 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 25,319 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 246,729 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
1 | 12,021 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.2A... |
1 | 430,255 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
1 | 143,490 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.1A... |
1 | 23,133 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700... |
1 | 13,978 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.8A... |
1 | 142,501 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.4A... |
1 | 154,862 | 加入询价 |
