- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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10 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300M... |
1 | 1,194,742 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 400M... |
1 | 14,216 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240M... |
1 | 20,995 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300M... |
1 | 1,084,791 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 60V 350M... |
1 | 9,916 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 400M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 60V 350M... |
1 | 97 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | SMOS NCH I: 0.4A, V:... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240M... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
