- 品牌：
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- YANGJIE (1)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 7,738 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.3A... |
1 | 17,550 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.3A... |
1 | 10,959 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 39,566 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 5.6A... |
1 | 49,833 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A... |
1 | 8,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<150M@10V... |
1 | 7,648 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 5.6A... |
1 | 2,204 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 30V 6.1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
