- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (12)
- Nexperia (3)
- ON Semiconductor (8)
- YANGJIE (1)
- 供应商器件封装：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 1,164 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 752,753 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | MOSFET N-CH 30V 200M... |
1 | 20,524 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 203,713 | 加入询价 | |
|
|
Torex Semiconductor Ltd. | MOSFET P-CH 30V 200M... |
1 | 8,560 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 41,868 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 58,394 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 200M... |
1 | 7,115 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 200M... |
1 | 4,835 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 12,925 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 60V 200M... |
1 | 17,403 | 加入询价 | |
|
|
Torex Semiconductor Ltd. | MOSFET N-CH 30V 200M... |
1 | 9,863 | 加入询价 | |
|
|
Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANC... |
1 | 69,132 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SMALL SIGNAL MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 384,007 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 2 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
1 | 9,783 | 加入询价 |
