- 供应商器件封装：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 448,548 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 181,841 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2A ... |
1 | 20,020 | 加入询价 | |
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PANJIT | SOT-23, MOSFET |
1 | 76,443 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 32,755 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 3,746 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 192,895 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 7,738 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | AECQ MOSFET PCH -... |
1 | 14,341 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2A ... |
1 | 6,745 | 加入询价 | |
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Anbon Semiconductor | N-CHANNEL ENHANC... |
1 | 6,765 | 加入询价 | |
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UMW | SOT-23 POWER MOSFE... |
1 | 2,950 | 加入询价 | |
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YANGJIE | P-CH MOSFET 20V 2A ... |
1 | 142 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
