- 供应商器件封装:
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
8 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A... |
1 | 63,030 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4.2A... |
1 | 12,594 | 加入询价 | ||
UMW | 30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1... |
1 | 3,000 | 加入询价 | ||
UMW | 30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 3... |
1 | 2,609 | 加入询价 | ||
Nexperia | MOSFET P-CH 30V 4.2A... |
1 | 428 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |