- 品牌：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
10 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A... |
1 | 19,692 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A... |
1 | 9,700 | 加入询价 | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 73A... |
1 | 2,475 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | N60V, 45A,RD<11M@10V,V... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A... |
1 | 116 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 8.6... |
1 | 23 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 40A... |
1 | 14,826 | 加入询价 | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 54A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 51A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
