- 品牌：
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- ON Semiconductor (6)
- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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30 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 211A... |
1 | 2,660 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V, 11A,RD<360M@10V,... |
1 | 4,900 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V TS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 19A... |
1 | 23 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 |
