- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<96M@-10V... |
1 | 7,980 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V, RD(MAX)<30M@10V... |
1 | 7,870 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N30V, 16A,RD<10M@10V,V... |
1 | 4,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-100V, 3.5A,RD<200M@-10... |
1 | 4,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 6,146 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<12M@-10V... |
1 | 7,990 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N30V, 18A,RD<5M@10V,VT... |
1 | 4,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-150V,-2.2A,RD(MAX)<3... |
1 | 3,998 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V... |
1 | 5,593 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N100V, 21A,RD<9.5M@10V,... |
1 | 4,000 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 3,933 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<22M@-10V... |
1 | 3,845 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 3,790 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4... |
1 | 3,743 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<25M@4.5V... |
1 | 3,960 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<20M@-10V... |
1 | 3,858 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH, 60V,6A... |
1 | 3,920 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 2,950 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-30V,-15A,RD(MAX)<10M... |
1 | 3,990 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-40V,-13A,RD(MAX)<15M... |
1 | 3,990 | 加入询价 |