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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
20 V
(1)
30 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
1.4A(Ta)
(1)
820mA(Ta)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
160 毫欧 @ 1A,4.5V
(1)
250 毫欧 @ 1A,4.5V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
120 pF @ 15 V
(1)
123 pF @ 10 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
封装/外壳 : 0201(0603 公制)
功率耗散(最大值) : 300mW(Ta),4.7W(Tc)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 2.1 nC @ 4.5 V
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMX100UNEZ
Nexperia
PMX100UNE/SOT8013/DF...
1
14,999
加入询价
PMX300UNEZ
Nexperia
PMX300UNE/SOT8013/DF...
1
14,988
加入询价
PMX100UNEZ
Nexperia
-
库存 : 14,999
询价
PMX300UNEZ
Nexperia
-
库存 : 14,988
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