漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SISH106DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 12.5...
1 7,164 加入询价
SISH108DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A...
1 6,000 加入询价
SISH110DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13.5...
1 2,000 加入询价
SISH116DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 40V 10.5...
1 2,000 加入询价
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