- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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19 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 58A... |
1 | 540 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 62A... |
1 | 166 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 33 M... |
1 | 100 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 54 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A... |
1 | 33 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 42A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 72A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 72A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 39A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 49A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 68A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 63A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 68A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 84A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 52A... |
1 | 455 | 加入询价 |
