- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1700V 7.... |
1 | 1,208 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 2... |
1 | 1,979 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 790 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V PG-T... |
1 | 790 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 992 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180... |
1 | 622 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 771 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 938 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 988 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 940 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 870 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A... |
1 | 23 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1700V 5.... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1700V 9.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 166... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
