- 品牌:
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- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 功率耗散(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | 650V 9A TO-220FM, HIG... |
1 | 4,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 484 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 600V 9A TO-220FM, HIG... |
1 | 1,000 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 900V 2.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 525V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 550V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 450V 6.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 3.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 |