供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
STF2HNK60Z STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A...
1 1,160 加入询价
R6004KNX ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A...
1 331 加入询价
FDPF3N50NZ ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A...
1 983 加入询价
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