- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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- 功率耗散(最大值):
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8 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | 600V 7A TO-220FM, LOW... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 146 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 9 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 450V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 550V 8.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 8A... |
1 | 777 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 7.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |