- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (2)
- ON Semiconductor (10)
- PANJIT (1)
- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 1000V 2.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 450V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 9.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 550V 8.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 9.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 9.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 8A... |
1 | 777 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 1.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
