- 品牌：
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- ON Semiconductor (5)
- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2A... |
1 | 1,160 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 8A... |
1 | 462 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 1.5... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A... |
1 | 483 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4A... |
1 | 377 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.2... |
1 | 737 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 7A... |
1 | 224 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A... |
1 | 977 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 500V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-FPOWERMOSFETT... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 6.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 5.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 1.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
