- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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8 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<10.5M@10... |
1 | 209 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<360M@10V... |
1 | 145 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<9M@10V,... |
1 | 199 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N650V,RD(MAX)<170M@10V... |
1 | 80 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 35A,RD<13M@10V,V... |
1 | 100 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 18A,RD<0.19@10V,V... |
1 | 87 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-40V,-60A,RD(MAX)<7M... |
1 | 88 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-CH, -60V, 65A, RD(MA... |
1 | 132 | 加入询价 |
