供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A...
1 1,600 加入询价
FDB024N08BL7 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 120A...
1 2,000 加入询价
IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A...
1 2,000 加入询价
IPB180P04P4L02ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A...
1 2,000 加入询价
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