- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 38.... |
1 | 3,476 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 38A... |
1 | 30 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 38.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 38.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 35A... |
1 | 25 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 35A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET P-CH 100V 110... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 75A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 75A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Littelfuse | MOSFET P-CH 200V 44A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |