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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
31A(Tc)
(2)
54A(Tc)
(1)
85A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
100 毫欧 @ 20A,12V
(1)
111 毫欧 @ 20A,12V
(1)
35 毫欧 @ 50A,12V
(1)
52 毫欧 @ 40A,12V
(1)
功率耗散(最大值):
190W(Tc)
(2)
326W(Tc)
(1)
441W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
封装/外壳 : TO-247-3
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 51 nC @ 15 V
技术 : -
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
UF3C065040K3S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 54A...
1
4,302
加入询价
UJ3C065030K3S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 85A...
1
4,463
加入询价
UF3C065080K3S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 31A...
1
12,356
加入询价
UJ3C065080K3S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 31A...
1
404
加入询价
UF3C065040K3S
UnitedSiC
-
库存 : 4,302
询价
UJ3C065030K3S
UnitedSiC
-
库存 : 4,463
询价
UF3C065080K3S
UnitedSiC
-
库存 : 12,356
询价
UJ3C065080K3S
UnitedSiC
-
库存 : 404
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