- 品牌：
-
- ON Semiconductor (4)
- 供应商器件封装：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 4... |
1 | 1,553 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 419 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-3L 650V |
1 | 570 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 627 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-3L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SIC MOS TO247-3L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
WeEn Semiconductors Co., Ltd | WNSC2M1K0170W/TO247/S... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
