- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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12 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 109 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 175 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 163 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 130 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 161 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 1200V, 10A, THD, SILI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 1200V, 14A, THD, SILI... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 21 | 加入询价 |
