漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IRFR13N15DTR Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A...
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IRFR13N15DTRL Infineon Technologies
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IRFR13N15DTRR Infineon Technologies
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IRFR9N20DTR Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4...
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IRFR9N20DTRL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4...
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IRFR9N20DTRR Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4...
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IRFR9N20DPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4...
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IRFR9N20DTRLPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4...
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IRFR13N15DPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A...
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IRFR13N15DTRPBF Infineon Technologies
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